MOSFET: načelo djelovanja i opseg

Proučavanje svojstava materijala poput poluvodiča omogućilo je revolucionarna otkrića. S vremenom su se pojavile tehnologije koje omogućuju industrijsku proizvodnju dioda, MOS tranzistora, tiristora i drugih elemenata. Uspješno su zamijenili elektroničke svjetiljke i dopustili da ostvare najhitnije ideje. Poluvodički elementi se koriste u svim sferama našeg života. Oni nam pomažu obraditi ogromne količine informacija, računala, magnetofona, TV prijemnika itd., Proizvedeni na temelju njih.

Budući da je izum prvog tranzistora, a to je 1948., bilo je dugo. Postoje varijacije ovog elementa: točke poput germanija, silicija, polja ili MOS tranzistora. Svi su oni naširoko koristi u radio elektroničkoj opremi. Proučavanje svojstava poluvodiča ne prestaje u našem vremenu.

Te studije dovele su do pojave takvog uređaja kao MOSFET. Načelo rada temelji se na činjenici da je pod djelovanjem električnog polja (dakle još jedno ime - polje terena), vodljivost površinskog sloja poluvodiča smještenog na granici s dielektričnom razlikuje. Ova se nekretnina koristi u elektroničkim sklopovima za razne svrhe. MOSFET ima takvu strukturu koja omogućuje smanjenje otpora između odvoda i izvora pod djelovanjem kontrolnog signala na gotovo nulu.

Njegova svojstva razlikuju se od bipolarnog "natjecatelja". Oni određuju opseg njegove primjene.

• Velika brzina omogućuje miniaturizacija samog kristala i njezina jedinstvena svojstva. To je zbog nekih poteškoća u industrijskoj proizvodnji. U današnje vrijeme proizvedeni su kristali s otvorom od 0,06 um.
• Mali prolazni kapacitet omogućava tim uređajima rad u visokofrekventnim krugovima. Na primjer, LSI s njihovom upotrebom uspješno se koristi u mobilnim komunikacijama.
• Otporno na nulu, koja ima MOS tranzistor u otvorenom stanju, omogućuje da se koristi kao elektronički ključ. Oni mogu raditi u shemama za generiranje visokofrekventnih signala ili za manevarske elemente poput operativnih pojačala.
• Snažni instrumenti ove vrste uspješno se koriste u moćnim modulima i mogu ući u indukcijske krugove. Dobar primjer njihove upotrebe može biti pretvarač frekvencije.

Prilikom izrade i rada s takvim elementima potrebno je uzeti u obzir neke značajke. MOSFET-ovi su osjetljivi na preokrenuti prenapon i lako propadaju. U krugovima s induktivnošću, brzo djelujući Schottky diode kako bi se ugasio obrnuti naponski impuls, koji se javlja pri prebacivanju.

Izgledi za korištenje tih uređaja su prilično veliki. Poboljšanje tehnologije njihove proizvodnje ide na putu smanjenja kristala (skaliranje zatvarača). Postupno, postoje uređaji koji mogu kontrolirati sve jače i snažnije elektromotore.